失效分析不再難，蔡司Gemini技術助您成為半導體專家

一、高襯度的低電壓VC（voltage contrast）成像

蔡司Gemini電子光學技術擁有優異的低電壓成像能力，能獲得準確的電壓襯度（PVC）圖像，用于快速的失效定位。

▲ SRAM區域的電壓襯度圖像

二、有利于電性表征的不漏磁光學系統

蔡司Gemini鏡筒可實現不漏磁的超低電壓成像，是納米探針（nanoprobing）測試的理想平臺。具備3nm制程的測試能力，且能實現低至100eV的SEM實時成像，極大地降低電子束輻照損傷。

▲ 80V加速電壓下成像，SRAM區域和八根納米探針

三、創新的探測器技術提升速度、分辨率和襯度

   亞表面結構的觀察和快速導航需要高掃描速度、高分辨、高信噪比的高電壓成像。蔡司高速背散射電子探測器（Rapid BSD）滿足了這類使用需求。

▲ 5nm FinFET的背散射電子圖像

四、超大視野的高分辨成像

在大面積成像中實現精度和效率的兼顧需要大視野無畸變成像的能力，Gemini鏡筒的設計提供了12mm的觀察視野和最大32k x 24k像素的分辨率，可以實現單張圖片的大視野高分辨，也可使用自動的拍圖拼圖工作流程進一步提升效率。

▲ 2.5D封裝截面，單張圖大視野成像

五、穩定性和易用性

改變電壓、束流時保持聚焦和視野的一致性能顯著提高日常FA工作的效率，蔡司Gemini鏡筒的穩定性更好地實現了這一特點。

▲ 切換電子束加速電壓時圖像變化

六、為半導體應用專用定制的軟件解決方案

蔡司Solutions Lab可為半導體用戶快速開發專用于特定場景的定制化解決方案，無論是自動化工作流程、AI助力的特征識別、分割、導航、量測或數據管理，我們都能為您提供專業支持。利用蔡司顯微鏡的潛力，更高效獲得所需的數據。

▲ 使用可視化編程工具實現電鏡的自動化工作流程